Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.26A
Power dissipation
0.3W
Корпус
SOT323
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN65D8LW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.26A
Power dissipation0.3W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20V
On-state resistance4Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.26A; 0.3W; SOT323; ESD

Документация

Документ производителя