Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN65D8LQ-13

DMN65D8LQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.21 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.54 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN65D8LQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.21 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.54 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge870pC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0.8A; 540mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.