DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN65D8LFB-7B

Фото уточняется

Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60 V
Drain current: 0.31 A
Power dissipation: 0.84 W
Корпус: X1-DFN1006-3

Цены и наличие Все характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителя	DMN65D8LFB-7B
Производитель	DIODES INCORPORATED
Type of transistor	N-MOSFET
Polarisation	unipolar
Drain-source voltage	60 V
Drain current	0.31 A
Power dissipation	0.84 W
Корпус	X1-DFN1006-3
Gate-source voltage	±20 V
On-state resistance	4 Ω
Монтаж	SMD — поверхностный
Gate charge	870pC
Kind of package	7 inch reel, tape
Kind of channel	enhancement

Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 310mA; 840mW; X1-DFN1006-3

Документация

Документы пока не предоставлены.