Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN65D8LDWQ-7

DMN65D8LDWQ-7
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.16 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN65D8LDWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.16 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge870pC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 160mA; Idm: 0.8A; 400mW

Документация

Документы пока не предоставлены.