Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D8LW-13

DMN63D8LW-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.33 A
Power dissipation
0.3 W
Корпус
SOT323
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN63D8LW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.33 A
Power dissipation0.3 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.33A; 0.3W; SOT323; ESD

Документация

Документ производителя