Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D8LV-7

DMN63D8LV-7
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.26 A
Power dissipation
0.45 W
Корпус
SOT563
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN63D8LV-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.26 A
Power dissipation0.45 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.45W; SOT563; ESD

Документация

Документ производителя