Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D8LDWQ-7

DMN63D8LDWQ-7
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.26 A
Рассеиваемая мощность
0.3 W
Корпус
SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 105 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%30,63 ₽

Сумма · с НДС 22%30,63 ₽

От 1 шт.

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 130,63 ₽
от 1022,16 ₽
от 2518,16 ₽
от 10012,96 ₽
от 5008,76 ₽
от 30008,02 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN63D8LDWQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.26 A
Рассеиваемая мощность0.3 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance2.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.26A; 0.3W; SOT363; ESD

Документация

Документ производителя