Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D8LDW-13

DMN63D8LDW-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.17 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN63D8LDW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.17 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.4 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0.17A; Idm: 0.8A; 0.4W; ESD

Документация

Документы пока не предоставлены.