Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D8L-13

DMN63D8L-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.31 A
Pulsed drain current
1.2 A
Power dissipation
0.52 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN63D8L-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.31 A
Pulsed drain current1.2 A
Power dissipation0.52 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance13 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.9nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 310mA; Idm: 1.2A; 520mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.