Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D1LW-7

DMN63D1LW-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.34A
Pulsed drain current
1.2A
Power dissipation
0.41W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN63D1LW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.34A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.41W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge304pC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 340mA; Idm: 1.2A; 410mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.