Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN63D1LV-13

DMN63D1LV-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.45 A
Pulsed drain current
1.2 A
Рассеиваемая мощность
0.94 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN63D1LV-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.45 A
Pulsed drain current1.2 A
Рассеиваемая мощность0.94 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge392pC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 450mA; Idm: 1.2A; 940mW; SOT563

Документация

Документы пока не предоставлены.