Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN62D1SFB-7B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
410 mA
Power dissipation
0.47 W
Корпус
DFN1006-3
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN62D1SFB-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current410 mA
Power dissipation0.47 W
КорпусDFN1006-3
On-state resistance1.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.39nC
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 410mA; 470mW; DFN1006-3

Документация

Документы пока не предоставлены.