Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN62D0UW-13

DMN62D0UW-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60V
Drain current
0.3A
Pulsed drain current
1.2A
Power dissipation
0.47W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN62D0UW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60V
Drain current0.3A
Pulsed drain current1.2A
Power dissipation0.47W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20V
On-state resistance3Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 470mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.