Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN62D0UDW-13

DMN62D0UDW-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.29 A
Рассеиваемая мощность
0.41 W
Корпус
SOT363
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN62D0UDW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.29 A
Рассеиваемая мощность0.41 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.5nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 290mA; 410mW; SOT363

Документация

Документы пока не предоставлены.