Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN61D9UDWQ-13

DMN61D9UDWQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
254 mA
Pulsed drain current
0.9 A
Рассеиваемая мощность
0.44 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN61D9UDWQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current254 mA
Pulsed drain current0.9 A
Рассеиваемая мощность0.44 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 254mA; Idm: 0.9A; 440mW; SOT363

Документация

Документы пока не предоставлены.