Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN61D8LVTQ-7

DMN61D8LVTQ-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.5 A
Power dissipation
1.09 W
Корпус
TSOT26
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN61D8LVTQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.5 A
Power dissipation1.09 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance2.4 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge740pC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.