Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN61D8LQ-7

DMN61D8LQ-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
470 mA
Рассеиваемая мощность
0.61 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN61D8LQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current470 mA
Рассеиваемая мощность0.61 W
КорпусSOT23
On-state resistance1.8 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge740pC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; 610mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.