Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN60H080DS-7

DMN60H080DS-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
600V
Drain current
70mA
Pulsed drain current
0.2A
Power dissipation
1.1W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN60H080DS-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage600V
Drain current70mA
Pulsed drain current0.2A
Power dissipation1.1W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.29Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.7nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 70mA; Idm: 0.2A; 1.1W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.