Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6075S-13

DMN6075S-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
2 A
Pulsed drain current
12 A
Power dissipation
0.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN6075S-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current2 A
Pulsed drain current12 A
Power dissipation0.7 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.12 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge12.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 12A; 700mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.