Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6069SFGQ-7

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
25 A
Рассеиваемая мощность
2.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN6069SFGQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current25 A
Рассеиваемая мощность2.4 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance63 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge25nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 25A; 2.4W

Документация

Документы пока не предоставлены.