Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6069SE-13

DMN6069SE-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3.3 A
Pulsed drain current
25 A
Power dissipation
1.4 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN6069SE-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3.3 A
Pulsed drain current25 A
Power dissipation1.4 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge16nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.3A; Idm: 25A; 1.4W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.