Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6068SEQ-13

DMN6068SEQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
4.5 A
Pulsed drain current
20.8 A
Power dissipation
3.7 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN6068SEQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current4.5 A
Pulsed drain current20.8 A
Power dissipation3.7 W
КорпусSOT223
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 20.8A; 3.7W; SOT223

Документация

Документы пока не предоставлены.