Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6068LK3Q-13

DMN6068LK3Q-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
68 mA
Рассеиваемая мощность
4.12 W
Корпус
TO252
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN6068LK3Q-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current68 mA
Рассеиваемая мощность4.12 W
КорпусTO252
On-state resistance68 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.55nC
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 68mA; 4.12W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.