Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6066SSDQ-13

DMN6066SSDQ-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
3.5 A
Pulsed drain current
17 A
Power dissipation
2.14 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN6066SSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current3.5 A
Pulsed drain current17 A
Power dissipation2.14 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance97 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge10.3nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 3.5A; Idm: 17A; 2.14W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.