DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN6040SVT-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 5 A
- Pulsed drain current
- 30 A
- Power dissipation
- 1.1 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 9 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%178,55 ₽
Сумма · с НДС 22%178,55 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 178,55 ₽ | |
| от 10 | 120,62 ₽ | |
| от 30 | 92,89 ₽ | |
| от 50 | 82,25 ₽ | |
| от 100 | 70,66 ₽ | |
| от 500 | 52,62 ₽ | |
| от 1000 | 47,49 ₽ | |
| от 3000 | 41,98 ₽ | |
| от 6000 | 39,51 ₽ | |
| от 9000 | 38,37 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN6040SVT-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 5 A |
| Pulsed drain current | 30 A |
| Power dissipation | 1.1 W |
| Корпус | TSOT26 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 60 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Gate charge | 22.4nC |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 30A; 1.1W; TSOT26
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.