Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6040SSDQ-13

DMN6040SSDQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
5.3 A
Pulsed drain current
30 A
Рассеиваемая мощность
1.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN6040SSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current5.3 A
Pulsed drain current30 A
Рассеиваемая мощность1.1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance55 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge22.4nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5.3A; Idm: 30A; 1.1W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.