Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN601WKQ-13

DMN601WKQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
0.3 A
Pulsed drain current
0.8 A
Рассеиваемая мощность
0.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и предложение

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN601WKQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current0.3 A
Pulsed drain current0.8 A
Рассеиваемая мощность0.2 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 200mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.