DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN601K-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 60 V
- Drain current
- 0.3 A
- Pulsed drain current
- 0.8 A
- Power dissipation
- 0.35 W
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 338 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%22,64 ₽
Сумма · с НДС 22%22,64 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 22,64 ₽ | |
| от 10 | 12,07 ₽ | |
| от 50 | 11,24 ₽ | |
| от 100 | 10,83 ₽ | |
| от 500 | 9,60 ₽ | |
| от 1000 | 8,73 ₽ | |
| от 3000 | 7,30 ₽ | |
| от 9000 | 5,77 ₽ | |
| от 15000 | 5,02 ₽ | |
| от 45000 | 4,41 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN601K-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 60 V |
| Drain current | 0.3 A |
| Pulsed drain current | 0.8 A |
| Power dissipation | 0.35 W |
| Корпус | SOT23 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 3 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 0.8A; 350mW; SOT23
Документация
Документы пока не предоставлены.
Корзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.