Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6017SK3-13

DMN6017SK3-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
8.8 A
Pulsed drain current
70 A
Power dissipation
3.3 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN6017SK3-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current8.8 A
Pulsed drain current70 A
Power dissipation3.3 W
КорпусTO252
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.8A; Idm: 70A; 3.3W; TO252

Документация

Документы пока не предоставлены.