Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN6013LFGQ-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
60 V
Drain current
8.3 A
Pulsed drain current
58.3 A
Power dissipation
2.1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN6013LFGQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage60 V
Drain current8.3 A
Pulsed drain current58.3 A
Power dissipation2.1 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance18 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge55.4nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.3A; Idm: 58.3A; 2.1W

Документация

Документы пока не предоставлены.