Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN55D0UTQ-7

DMN55D0UTQ-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.16 A
Pulsed drain current
560 A
Power dissipation
0.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN55D0UTQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.16 A
Pulsed drain current560 A
Power dissipation0.2 W
КорпусSOT523
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge295nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 160mA; Idm: 560A; 200mW; SOT523

Документация

Документы пока не предоставлены.