Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN53D0U-13

DMN53D0U-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.3 A
Pulsed drain current
0.5 A
Power dissipation
0.52 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN53D0U-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.3 A
Pulsed drain current0.5 A
Power dissipation0.52 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 300mA; Idm: 0.5A; 520mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.