Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN53D0LW-7

DMN53D0LW-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
0.7 A
Power dissipation
0.42 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN53D0LW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current0.7 A
Power dissipation0.42 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance3 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.2nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 200mA; Idm: 0.7A; 420mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.