Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN53D0LQ-13

DMN53D0LQ-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
50 V
Drain current
0.5 A
Power dissipation
0.54 W
Корпус
SOT23
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN53D0LQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage50 V
Drain current0.5 A
Power dissipation0.54 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance4.5 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 500mA; 540mW; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.