DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN53D0LDW-7
- Type of transistor
- N-MOSFET x2
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 50 V
- Drain current
- 0.25 A
- Power dissipation
- 0.31 W
- Корпус
- SOT363
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеВариант поставкиДоступно к заказу 45 шт.
Срок: 6–7 недель Данные на
Цена / шт. · с НДС 22%68,38 ₽
Сумма · с НДС 22%68,38 ₽
Оптовые цены и условия
| Количество | Цена / шт. | Выбор |
|---|---|---|
| от 1 | 68,38 ₽ | |
| от 10 | 46,16 ₽ | |
| от 25 | 35,33 ₽ | |
| от 50 | 28,30 ₽ | |
| от 100 | 22,74 ₽ | |
| от 500 | 14,59 ₽ | |
| от 1000 | 12,50 ₽ | |
| от 1500 | 11,59 ₽ | |
| от 3000 | 10,60 ₽ | |
| от 9000 | 10,09 ₽ |
Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN53D0LDW-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET x2 |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 50 V |
| Drain current | 0.25 A |
| Power dissipation | 0.31 W |
| Корпус | SOT363 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 2.5 Ω |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
| Version | ESD |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 0.25A; 0.31W; SOT363; ESD
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.