Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN4800LSS-13

DMN4800LSS-13
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
9 A
Pulsed drain current
50 A
Power dissipation
1 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN4800LSS-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current9 A
Pulsed drain current50 A
Power dissipation1 W
КорпусSO8
Gate-source voltage±25 V
On-state resistance20 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge8.7nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 50A; 1W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.