Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN4060SVTQ-7

Type of transistor
N-MOSFET
Drain-source voltage
45 V
Drain current
10.7 A
Рассеиваемая мощность
1.2 W
Корпус
TSOT26
Gate-source voltage
±20 V
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и предложение

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 3 000 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%36,55 ₽

Сумма · с НДС 22%109 650,00 ₽

От 3000 шт. · шаг 3000

Без регистрации и оплаты. Менеджер подтвердит цену и срок поставки.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 300036,55 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN4060SVTQ-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Drain-source voltage45 V
Drain current10.7 A
Рассеиваемая мощность1.2 W
КорпусTSOT26
Gate-source voltage±20 V
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge20nC
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; 45V; 10.7A; 1.2W; TSOT26

Документация

Документы пока не предоставлены.