DIODES INCORPORATED
Транзистор DMN4060SVT-7
- Type of transistor
- N-MOSFET
- Polarisation
- unipolar
- Drain-source voltage
- 45 V
- Drain current
- 4.1 A
- Power dissipation
- 1.2 W
- Корпус
- TSOT26
Фото справочное.
Цена и заказ
Обновить наличиеЦена / шт.По запросу
Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.
Характеристики
| Артикул производителя | DMN4060SVT-7 |
|---|---|
| Производитель | DIODES INCORPORATED |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Polarisation | unipolar |
| Drain-source voltage | 45 V |
| Drain current | 4.1 A |
| Power dissipation | 1.2 W |
| Корпус | TSOT26 |
| Gate-source voltage | ±20 V |
| On-state resistance | 62 mΩ |
| Монтаж | SMD — поверхностный |
| Kind of package | 7 inch reel, tape |
| Kind of channel | enhancement |
Такого параметра нет.
Исходное описание поставщика
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 45V; 4.1A; 1.2W; TSOT26
Документация
Документ производителяКорзина
Оформить заявкуОтправьте заявку на сайте. Её номер и статус появятся в личном кабинете.