Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN4031SSDQ-13

DMN4031SSDQ-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40V
Drain current
5.6A
Pulsed drain current
40A
Power dissipation
2.6W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN4031SSDQ-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40V
Drain current5.6A
Pulsed drain current40A
Power dissipation2.6W
КорпусSO8
Gate-source voltage±20V
On-state resistance50mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge18.6nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Applicationautomotive industry
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8

Документация

Документы пока не предоставлены.