Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN4010LFG-7

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
40 V
Drain current
11.4 A
Pulsed drain current
80 A
Power dissipation
2.45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN4010LFG-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage40 V
Drain current11.4 A
Pulsed drain current80 A
Power dissipation2.45 W
КорпусPowerDI3333-8
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance15 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge37nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 11.4A; Idm: 80A; 2.45W

Документация

Документы пока не предоставлены.