Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3900UFA-7B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30V
Drain current
520mA
Pulsed drain current
2.5A
Power dissipation
0.39W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3900UFA-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30V
Drain current520mA
Pulsed drain current2.5A
Power dissipation0.39W
КорпусX2-DFN0806-3
Gate-source voltage±8V
On-state resistance1.5Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge0.7nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 520mA; Idm: 2.5A; 390mW

Документация

Документы пока не предоставлены.