Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3731UFB4-7B

Фото уточняется
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.9 A
Pulsed drain current
3 A
Power dissipation
970 mW
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN3731UFB4-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.9 A
Pulsed drain current3 A
Power dissipation970 mW
КорпусX2-DFN1006-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.73 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge5.5nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 900mA; Idm: 3A; 970mW

Документация

Документы пока не предоставлены.