Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3730UFB4-7B

Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
730 mA
Pulsed drain current
3 A
Power dissipation
0.69 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Добавим фотографию после подтверждения источника.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3730UFB4-7B
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current730 mA
Pulsed drain current3 A
Power dissipation0.69 W
КорпусX2-DFN1006-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.73 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.6nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 730mA; Idm: 3A; 690mW

Документация

Документы пока не предоставлены.