Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3730UFB4-7

DMN3730UFB4-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.75 A
Pulsed drain current
10 A
Power dissipation
0.45 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3730UFB4-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.75 A
Pulsed drain current10 A
Power dissipation0.45 W
КорпусSOT23
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.46 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
VersionESD
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.75A; Idm: 10A; 0.45W; SOT23

Документация

Документы пока не предоставлены.