Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3401LDW-13

DMN3401LDW-13
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.6 A
Pulsed drain current
4 A
Power dissipation
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3401LDW-13
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.6 A
Pulsed drain current4 A
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance0.7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.2nC
Kind of package13 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 600mA; Idm: 4A; 350mW

Документация

Документы пока не предоставлены.