Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN33D9LV-7

DMN33D9LV-7
Type of transistor
N-MOSFET x2
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.2 A
Pulsed drain current
0.8 A
Power dissipation
0.2 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN33D9LV-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET x2
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.2 A
Pulsed drain current0.8 A
Power dissipation0.2 W
КорпусSOT563
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.23nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 200mA; Idm: 0.8A; 200mW

Документация

Документы пока не предоставлены.