Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN33D8LT-7

DMN33D8LT-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.115 A
Power dissipation
0.3 W
Корпус
SOT523
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN33D8LT-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.115 A
Power dissipation0.3 W
КорпусSOT523
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance7 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.23nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 115mA; 300mW; SOT523

Документация

Документы пока не предоставлены.