Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN32D4SDW-7

DMN32D4SDW-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
0.5 A
Pulsed drain current
4 A
Power dissipation
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие

Наличие требует обновления. Повторите поиск по артикулу.

Характеристики

Артикул производителяDMN32D4SDW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current0.5 A
Pulsed drain current4 A
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT363
Gate-source voltage±20 V
On-state resistance1 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Gate charge1.3nC
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 500mA; Idm: 4A; 350mW; SOT363

Документация

Документы пока не предоставлены.