Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3200U-7

DMN3200U-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
30 V
Drain current
2.2 A
Pulsed drain current
9 A
Power dissipation
0.65 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Вариант поставкиДоступно к заказу 744 шт.

Срок: 6–7 недель Данные на

Цена / шт. · с НДС 22%128,28 ₽

Сумма · с НДС 22%128,28 ₽

От 1 шт.

Оптовые цены и условия
КоличествоЦена / шт.Выбор
от 1128,28 ₽
от 1082,62 ₽
от 2567,34 ₽
от 5058,29 ₽
от 10050,74 ₽
от 50038,29 ₽
от 100034,90 ₽
от 150033,01 ₽
от 300030,56 ₽
от 900027,35 ₽

Все цены с НДС 22%. Доставка и итоговые условия подтверждаются при запросе.

Характеристики

Артикул производителяDMN3200U-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage30 V
Drain current2.2 A
Pulsed drain current9 A
Power dissipation0.65 W
КорпусSOT23-3
Gate-source voltage±8 V
On-state resistance0.2 Ω
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.2A; Idm: 9A; 650mW; SOT23-3

Документация

Документы пока не предоставлены.