Антава

DIODES INCORPORATED

Транзистор DMN3150LW-7

DMN3150LW-7
Type of transistor
N-MOSFET
Polarisation
unipolar
Drain-source voltage
28 V
Drain current
1.2 A
Pulsed drain current
6.4 A
Power dissipation
0.35 W
Цены и наличиеВсе характеристики

Фото справочное.

Цена и заказ

Обновить наличие
Цена / шт.По запросу

Уточним актуальную цену, наличие и срок поставки.

Запросить цену+7 (495) 740-30-77

Характеристики

Артикул производителяDMN3150LW-7
ПроизводительDIODES INCORPORATED
Type of transistorN-MOSFET
Polarisationunipolar
Drain-source voltage28 V
Drain current1.2 A
Pulsed drain current6.4 A
Power dissipation0.35 W
КорпусSOT323
Gate-source voltage±12 V
On-state resistance138 mΩ
МонтажSMD — поверхностный
Kind of package7 inch reel, tape
Kind of channelenhancement
Исходное описание поставщика

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 28V; 1.2A; Idm: 6.4A; 350mW; SOT323

Документация

Документы пока не предоставлены.